Léamh "Tuarascáil Sláinte" A Silicon Wafer: Conas Na Príomhpharaiméadair a Thuiscint

I gcás go leor ceannaitheoirí agus innealtóirí próisis, is doiciméad é an leathán sonraíochta wafer "léigh uair amháin ag síniú conartha, agus níor osclaíodh arís é." Ach tá sliseoga sileacain thar a bheith tábhachtachparaiméadar-chaighdeánachtionscal: sainíonn caighdeáin idirnáisiúnta amhail SEMI M1 toisí, maoile agus paraiméadair leictreacha i dteanga uilíoch. Tá cuma beagnach mar a chéile ar na bileoga sonraí ó Sholáthraí A agus ó Sholáthraí B -na difríochtaí i bhfolach sna huimhreacha agus i comhsheasmhacht.

Gabhann abairt amháin an áit a dtagann paraiméadair sliseog:sainmhíníonn fás criostail an "bunreacht"; sainmhíníonn múnlú an "physique"; ní dhéanann an COA ach na torthaí a léamh ar ais chugat.

 

 

Clúdaíonn na hailt seo a leanas na trí mhórtheaghlach: céimseata, ocsaigin agus friotachas.

 

2.1 Tiús

Méaduithe tiús wafer le trastomhas. Luachanna príomhshrutha tipiciúla:

Trastomhas	Tiús tipiciúla (sampla)
6 orlach (150 mm)	675 ± 20 µm
8 orlach (200 mm)	725 ± 20 µm
12 orlach (300 mm)	775 ± 20 µm

Sainmhíníonn tiús an fhuinneog próisis le haghaidh tanaithe ar an gcúl (tanaítear sliseoga ardnód go dtí na deich miocrón), diomailt teasa sliseanna agus neart meicniúil. Dá déine an lamháltas, is ea is mó an corrlach le haghaidh tanaithe agus tástála taiscéalaithe.

 

2.2 TTV: Tiús Comhsheasmhacht

teilifís (Iomlán Tiús Athrú) an bhfuil an difríocht idir an tiús uasta agus an t-íosmhéid a thomhaistear ar wafer amháin - tomhas ar cé chomh tiubh is atá an wafer. Is paraiméadar bunúsach é le haghaidh chucking i bhfolús, fócas liteagrafaíocht agus nascáil: má tá taobh amháin den wafer níos tiús ná an taobh eile, dífhoirmíonn an dromchla nuair a chuartar é.

 

2.3 TIR agus Maoile an tSuímh: Folaithe an Litagrafaíocht Tairseach

TIR (Léamh Léirithe Iomlán)tomhaiseann sé diall foriomlán an dromchla tosaigh i gcoibhneas le plána tagartha. Is é an rud a chuireann bac ar phróisis chun cinn, áfachsuíomh maoile (SFQR/LTV) - díríonn scanóirí liteagrafaíochta réimse ar réimse,

mar sin fiú má tá an sliseog cothrom ar fud an domhain, beidh fána áitiúil mhín fós ag díriú ar an nochtadh. Dá mhéad dul chun cinn an nód, is ea is lú an doimhneacht fócais (DOF) agus is amhlaidh is déine an riachtanas maidir le maoile an tsuímh: ag na nóid tosaigh tá SFQR tar éis dul isteach sa0.1–

Raon 0.2 µm.

 

2.4 Bow agus Warp: Dífhoirmiúchán an Dromchla Meánach

Bow cuireann sé síos ar imeacht lárphointe dhromchla airmheánach an sliseog ó phlána tagartha;Dlúth cur síos ar dhiall uasta an dromchla airmheánaigh sin. Léiríonn an dá cheann an strus iarmharach a d'fhág slicing agus cóireáil teasa. Bíonn claonadh ag sliseoga a bhfuil dlúith iomarcach orthu agus iad ag láimhseáil róbatach, scoilteann siad le linn tanaithe agus fulaingíonn siad amas díreach ar tháirgeacht an nascáil.

 

raonta tipiciúla aga sracfhéachaint(luachanna samplacha; déan tagairt i gcónaí do bhileog sonraí an díoltóra):

Paraiméadar	tipiciúil Raon	Príomhphróiseas Tionchar
Tiús	Féach tábla thuas	Fuinneog tanaithe, diomailt teasa, neart meicniúil
teilifís	Príomhghrád Níos lú ná nó cothrom le 1–2 µm	Cucking, fócas litho, nascáil
TIR / SFQR	Leibhéal suímh 0.1–0.2 µm (nóid chun cinn)	Doimhneacht fócais, cruinneas forleagan
Bow / Warp	Go tipiciúil Níos lú ná nó cothrom le 20–30 µm; níos déine don Phríomhghrád	Láimhseáil, tanú, nascáil

 

3.1 An Áit a dTagann an Ocsaigin Ó

I bhfás Czochralski (CZ), tá sileacain leáite i dteagmháil dhíreach leis an breogán Grianchloch (SiO₂), agus mar sin tuaslagann ocsaigin isteach sa leá agus téann sé isteach sa chriostail.CZmar sin bíonn ocsaigin i gcónaí i sliseoga, le comhchruinnithe tipiciúil ocsaigine interstitial de10–16 csm(scála ASTM nua). Is é an t-aon bhealach chuig sileacain "beagnach saor ó ocsaigine" an modh snámh-chrios (FZ) - ar chostas teorainneacha trastomhas agus costas níos airde.

 

3.2 Ocsaigin is Imeall Dúbailte é claíomh

Tá an bun os cionn: Ag tiúchan cuí, foirmíonn ocsaigin deascán ocsaigine le linn cóireála teasa ina dhiaidh sin a fhaigheann éilliú miotalach ón mórchóir - is é seofáil inmheánach (IG), go héifeachtach "folúsghlantóir ionsuite" do réigiún gníomhach an fheiste. Neartaíonn ocsaigin an wafer go meicniúil freisin agus shochtann sé duillín le linn próiseála ardteochta.

An míbhuntáiste:Timpeall 450 foirmeacha ocsaigine céimdeontóirí teirmeacha, ag cur isteach ar thomhais friotachais agus ar chobhsaíocht pharaiméadar feiste; gineann deascáin ocsaigine iomarcacha nó rómhóra díláithriúcháin agus lochtanna cruachta a théann, i gcásanna tromchúiseacha, isteach i réigiún an fheiste. I gcás criostail mhóra 12-orlach tá an réimse teirmeach níos deacra a rialú, agusaonfhoirmeacht ocsaigine gathachaar cheann de na dúshláin lárnacha a bhaineann le fás criostail.

 

4.1 Cad É agus Cé Mhéad É Dópáilte

• P-cineálDéantar sliseog a dhópáil le bórón (B);N-cineálle fosfar (P), antamón nó arsanaic.
• Dópáilte go héadrom:go hiondúil 1–100 Ω·cm - an tsubstráit phríomhshrutha le haghaidh loighic, cuimhne agus sliseanna analógacha.
• Dópáilte go mór:de ghnáth 0.001–0.02 Ω·cm - a úsáidtear mar fhoshraitheanna gléas cumhachta nó mar shraitheanna curtha.
• Ard-fhriotaíocht:Níos mó ná nó cothrom le 1 kΩ·cm, bainte amach le FZ nó MCZ - ag freastal ar RF-SOI, braiteoirí íomhá agus feidhmeanna cumhacht-modúil.

 

4.2 Conas a Thomhaistear é agus Cad atá le Faire

Déantar an fhriotaíocht a thomhas leis an modh taiscéalaithe ceithre phointe (SEMI MF84) nó trí mhodhanna gan tadhall. Thar an luach iomlán, angrádán friotachas gathacha(de ghnáth Níos lú ná nó cothrom le 5%) chomh ríthábhachtach - má tá friotachas tsubstráit neamh-éide, beidh voltas miondealú agus voltas tairsí athrú "ó wafer go wafer" sna feistí críochnaithe.